发明名称 |
RF LDMOS器件及制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种RF LDMOS器件,其结构是,漏端N型轻掺杂区为横向非均匀N掺杂,靠近多晶硅栅的一边有一掺杂浓度相对较高并且深度比漏端N型轻掺杂区深的N型中掺杂区,而靠近漏端的区域掺杂浓度相对较低,通过对漏端N型轻掺杂区横向掺杂浓度的调节,在保证器件具有较高击穿电压的同时,有效地降低了器件的导通电阻。本发明还公开了该种RF LDMOS器件的制造方法。 |
申请公布号 |
CN103050532B |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201210287206.8 |
申请日期 |
2012.08.13 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
李娟娟;钱文生;韩峰;慈朋亮 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
王江富 |
主权项 |
一种RF LDMOS器件,其特征在于,在P外延的左部形成有一P阱,右部形成有一漏端N型轻掺杂区,所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区不接触;所述P阱上部形成有一源端N型重掺杂区;所述漏端N型轻掺杂区的右部形成有一漏端N型重掺杂区;所述漏端N型轻掺杂区的左部形成有一N型中掺杂区,N型中掺杂区的深度大于所述漏端N型轻掺杂区的深度;所述漏端N型重掺杂区同所述N型中掺杂区不接触;N型中掺杂区的N型杂质浓度,小于N型重掺杂区的N型杂质浓度,并且大于等于N型轻掺杂区的N型杂质浓度;所述源端N型重掺杂区右侧的P阱上方,及所述P阱与所述漏端N型轻掺杂区之间的P外延上方,形成有栅氧;所述栅氧上方形成有多晶硅栅;所述多晶硅栅及所述N型中掺杂区左部上方,形成有氧化层;所述N型中掺杂区离开多晶硅栅边缘一定距离。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |