多波长激光器阵列芯片的制作方法

摘要

一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。

主权项

一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括如下制作步骤：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面制作N电极，完成制备。