碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅陶瓷预制体、铝基碳化硅陶瓷材料及其制备方法，涉及材料及其制备技术领域，解决了现有制备工艺制备的碳化硅陶瓷预制体的强度低、结构不均一及碳化硅的体积分数低的技术问题。本发明的主要技术方案为：将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀，制得原料料浆；制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水；将引发剂加入至原料料浆中，混合均匀后得到陶瓷料浆；对陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥，得到陶瓷素坯；将陶瓷素坯在800-1200℃下进行烧结处理，得到碳化硅陶瓷预制体。本发明主要用于制备出高强度、结构均一的碳化硅陶瓷预制体，进而制备出高性能的铝基碳化硅陶瓷材料。

主权项

一种碳化硅陶瓷预制体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将制备碳化硅陶瓷预制体的原料混合均匀，制得原料料浆；其中，所述制备碳化硅陶瓷预制体的原料包括碳化硅、分散剂、有机单体及水；所述碳化硅与所述原料料浆的体积比为40‑70：100；将引发剂加入至所述原料料浆中，混合均匀后得到陶瓷料浆；其中，所述引发剂与所述原料料浆的质量比为0.5‑5：1000；对所述陶瓷料浆依次进行真空除气处理、注模成型、脱模干燥，得到陶瓷素坯；将所述陶瓷素坯在800‑1200℃下进行烧结处理，得到碳化硅陶瓷预制体。