形成多孔超低介电材料的方法

摘要

本发明提供一种形成多孔超低介电材料的方法，包括：步骤S01：在一半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及含有致孔剂的低介电常数层；步骤S02：对低介电常数层表面进行氧气等离子体处理；步骤S03：去除氧化层；步骤S04：去除致孔剂；步骤S05：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层。本发明提供的形成多孔超低介电材料的方法中，通过去除低介电常数层表面的氧化层，可以提高去除致孔剂的效率，在紫外线处理或加热处理过程中，使得低介电常数层中的有机物被充分分解，从而得到较低的低介电常数。此外，通过去除氧化层可以避免沟槽结构的侧壁出现凹陷，保持刻蚀后的沟槽结构的侧壁平坦化。

主权项

一种形成多孔超低介电材料的方法，其特征在于，包括：步骤S01：在一半导体衬底上依次沉积介电阻挡层以及低介电常数层，其中，所述低介电常数层含有致孔剂；步骤S02：对所述低介电常数层表面进行氧气等离子体处理，以去除其表面残留的反应物；步骤S03：去除所述低介电常数层表面的氧化层；步骤S04：对所述低介电常数层进行紫外线处理或加热处理，以去除所述致孔剂；步骤S05：在处理后的低介电常数层表面依次形成介电阻挡层以及金属硬质掩膜层。