基于SOI的TSV立体集成互连结构

摘要

本发明公开了一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的TSV通孔直径为W1，埋氧层下方的TSV通孔直径W2，上、下TSV孔同轴，且W1>W2。本发明不仅可以实现基于SOI的工艺器件立体集成，满足辐射加固器件、高压/低漏电器件TSV立体集成的工艺需求，而且降低了“Notching”效应对后续侧壁绝缘工艺的影响，提升击穿电压，增加基于SOI的TSV立体集成器件可靠性，节约芯片面积，降低了开发成本。

主权项

一种基于SOI的TSV立体集成互连结构，包括阻挡层、侧壁绝缘层和导电填充物，其特征在于：以铜柱为导电填充物，在铜柱外壁依次包覆了阻挡层和侧壁绝缘层，铜柱纵向贯穿了SOI顶层硅、埋氧层和衬底硅，构成TSV通孔，埋氧层上方的TSV通孔直径为W1，埋氧层下方的TSV通孔直径W2，上、下TSV孔同轴，且W1>W2，W1和W2的差值为3μm～6μm；在埋氧层窗口水平方向上会留有刻蚀余量W3与W4。