| 摘要 |
단일 기판 툴을 이용하여 이온 주입 레지스트를 스트립핑하거나 포스트-애시 클린을 수행하기 위한 방법 및 시스템이 제공된다. 클리닝 목표들 및 클리닝 동작 변수들이 최적화를 위해 선택된다. 제 1 단계는 동시에 UV 광으로 기판을 조사하면서 제 1 처리 화학물에 기판을 침지하며, 프로세스는 기판의 제 1 프로세스 시간, 제 1 유량 및 제 1 회전 속도로 완료된다. 제 2 단계는 제 2 온도 및 제 2 조성에서 제 2 처리 화학물을 기판 상에 제공하며, 제 2 처리 화학물은 제공 온도로 제공되며 제 2 프로세스 시간 및 제 2 회전 속도로 완료된다. 2개 이상의 선택 클리닝 동작 변수들은 UV 파장, UV 파워, 제 1 농도, 제 1 회전 속도, 제 1 유량, 제 2 프로세스 시간, 제 2 회전 속도, 잔여물 제거의 퍼센티지 및 제공 온도를 포함한다. |
