发明名称 |
反应室及其气流控制方法 |
摘要 |
本发明公开了一种反应室及其气流控制方法。反应室包括:基座,用于在反应室内设置基片;控制单元,用于实时监测对基片进行处理过程中所述反应室内的反应环境,并根据所述反应环境控制反应室内的加工工艺;可移动导流环,设置在所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间;驱动单元,与所述可移动导流环连接,用于根据所述控制单元实时监测到的反应环境,使所述可移动导流环升降,并停止在适合所述加工工艺的位置,从而改变所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间的开度,以流导反应室内的气流。 |
申请公布号 |
CN103160814B |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201310072237.6 |
申请日期 |
2013.03.07 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
姜勇;何乃明 |
分类号 |
C23C16/52(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/52(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;林彦之 |
主权项 |
一种反应室,其特征在于,包括:基座,用于在反应室内设置基片;控制单元,用于实时监测对基片进行处理过程中所述反应室内的反应环境,并根据所述反应环境控制反应室内的加工工艺;可移动导流环,设置在所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间,所述可移动导流环从上到下具有不同的内径;驱动单元,与所述可移动导流环连接,用于根据所述控制单元实时监测到的反应环境,使所述可移动导流环升降,并停止在适合所述加工工艺的位置,从而改变所述基座的边缘部分与所述可移动导流环内壁之间的开度以及所述基座的边缘部分与所述反应室的侧壁对应位置之间的开度,以流导反应室内的气流。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |