BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及赝埋层。赝埋层形成于集电区两侧的浅槽场氧底部并横向延伸进入有源区并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极。发射区由形成于基区上部的P型多晶硅组成、且发射区位于偏离有源区中心的一侧。基区的金属接触位于有源区的另一侧。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

主权项

一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述垂直寄生型PNP器件包括：一集电区，由形成于所述有源区中的一P型离子注入区组成，所述集电区的深度大于或等于所述浅槽场氧的底部深度；一赝埋层，由形成于所述集电区两侧的所述浅槽场氧底部的P型离子注入区组成，所述赝埋层横向延伸进入所述有源区并和所述集电区形成接触，通过在所述赝埋层顶部的所述浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极；一基区，由形成于所述集电区上部并和所述集电区相接触的一N型离子注入区组成；一发射区，由一P型注入层组成，所述发射区从所述有源区的表面向下延伸到所述基区中并和所述基区形成接触，所述发射区位于偏离于所述有源区中心位置的一侧，且所述发射区的区域大小小于所述有源区的大小；在所述发射区上形成有金属接触引出发射极；在未形成所述发射区的所述有源区的另一侧的所述基区上部形成有和所述基区相接触的N型多晶硅层，在所述多晶硅层上形成有金属接触引出基极。