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<p>일 실시예에서는, 제 1 유전율을 갖는 제 1 막과 제 2 유전율을 갖는 제 2 막이 교대로 적층됨으로써 형성된 다층막을 에칭하는 방법이 제공된다. 이 방법은, (a) 처리 용기 내에 에천트 가스를 공급하고, 처리 용기 내에 마이크로파를 공급함으로써 해당 에천트 가스의 플라즈마를 여기해서, 다층막을 에칭하는 공정과, (b) 처리 용기 내에 산소 함유 가스 및 플루오로카본계 가스를 공급하고, 마이크로파를 공급함으로써 산소 함유 가스 및 플루오로카본계 가스의 플라즈마를 여기해서, 레지스트 마스크를 축소시키는 공정을 포함한다. 본 방법에서는 공정 (a)과 공정 (b)가 교대로 반복된다.</p> |
