一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法

摘要

本发明涉及微电子机械系统气体传感器、半导体材料和有机/无机复合纳米材料领域，公开了一种室温P-N-P异质结型氢气传感器及其制备方法。首先采用碱法或干法刻蚀工艺制备P型微结构硅衬底，或者采用酸法或电化学法刻蚀工艺制备P型多孔硅衬底，然后在硅衬底表面制备金属纳米颗粒（作为N型材料），再在金属纳米颗粒层上方制备P型有机半导体薄膜，最后在敏感薄膜上制备叉指电极，得到电阻型P-N-P异质结型氢气传感器。本发明从材料和结构两方面提高了传感器的性能，使其可在室温下工作，具有良好的应用开发前景。

主权项

一种室温P‑N‑P异质结型氢气传感器，其特征在于：包括衬底，所述衬底为P型微结构硅或P型多孔硅，所述P型微结构硅或P型多孔硅的表面设置有金属纳米颗粒层，所述金属纳米颗粒层的表面设置有P型有机半导体薄膜，所述P型有机半导体薄膜的表面设置有叉指电极。