可变电阻存储器

摘要

本发明提供了可变电阻存储器及其形成方法。可变电阻存储器可以包括基板、在基板上的多个底电极、以及包括形成在其中的沟槽的第一层间绝缘层。沟槽暴露底电极并沿第一方向延伸。可变电阻存储器还包括顶电极和多个可变电阻图案，该顶电极设置在第一层间绝缘层上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸，该多个可变电阻图案设置在沟槽中并具有与顶电极的侧壁对准的侧壁。

主权项

一种可变电阻存储器，包括：基板；在所述基板上的多个底电极；第一层间绝缘层，包括形成在其中的沟槽，所述沟槽暴露所述底电极并沿第一方向延伸；顶电极，设置在所述第一层间绝缘层上并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸；以及多个可变电阻图案，设置在所述沟槽中并具有与所述顶电极的侧壁对准的侧壁，其中所述可变电阻图案是其中所述可变电阻图案沿所述第一方向和沿所述第二方向被分离开的隔离型结构。