| 发明名称 | 写辅助电路 | ||
| 摘要 | 一种字线跟踪驱动器电路，包括：第一NMOS晶体管，含第一NMOS栅极、第一NMOS漏极、第一NMOS源极；第二NMOS晶体管，含第二NMOS栅极、第二NMOS漏极、第二NMOS源极；第三NMOS晶体管，含第三NMOS栅极、第三NMOS漏极、第三NMOS源极；第一PMOS晶体管，含第一PMOS栅极、第一PMOS漏极、第一PMOS源极；第二PMOS晶体管，含第二PMOS栅极、第二PMOS漏极、第二PMOS源极；第三PMOS晶体管，含第三PMOS栅极、第三PMOS漏极、第三PMOS源极；以及上拉电路，连接到第一PMOS漏极。第一PMOS漏极连接到第一NMOS漏极、第二PMOS漏极、第三PMOS栅极、第三NMOS栅极。第一PMOS栅极连接到第一NMOS栅极。第三PMOS漏极连接到第三NMOS漏极以及第二NMOS栅极。第二NMOS源极连接到第一NMOS漏极。第三PMOS漏极被配置为提供跟踪字线信号。 | ||
| 申请公布号 | CN102486932B | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201110391741.3 | 申请日期 | 2011.11.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 金荣奭;金荣锡 |
| 分类号 | G11C11/419(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/419(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种字线跟踪驱动器电路，包括：第一NMOS晶体管，具有第一NMOS栅极、第一NMOS漏极、以及第一NMOS源极；第二NMOS晶体管，具有第二NMOS栅极、第二NMOS漏极、以及第二NMOS源极；第三NMOS晶体管，具有第三NMOS栅极、第三NMOS漏极、以及第三NMOS源极；第一PMOS晶体管，具有第一PMOS栅极、第一PMOS漏极、以及第一PMOS源极；第二PMOS晶体管，具有第二PMOS栅极、第二PMOS漏极、以及第二PMOS源极；第三PMOS晶体管，具有第三PMOS栅极、第三PMOS漏极、以及第三PMOS源极；以及上拉电路，连接到所述第一PMOS漏极；其中，所述第一PMOS漏极连接到所述第二NMOS漏极、所述第二PMOS漏极、所述第三PMOS栅极、以及所述第三NMOS栅极；所述第一PMOS栅极连接到所述第一NMOS栅极；所述第三PMOS漏极连接到所述第三NMOS漏极以及所述第二PMOS栅极；所述第二NMOS源极连接到所述第一NMOS漏极；以及所述第三PMOS漏极被配置为提供跟踪字线信号。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||