发明名称 |
一种蓝宝石晶片加工方法 |
摘要 |
本发明公开了一种蓝宝石晶片加工方法,具体工艺流程:晶片检查→晶片上蜡→粗砂研磨→晶片清洗→细砂研磨→晶片清洗→抛光。该工艺是在单面研磨工序中通过不同粒径砂粒进行二段式单面研磨工艺优化蓝宝石加工。二段式单面研磨可制造出表面损伤层浅,表面无划痕的蓝宝石晶片为蓝宝石抛光加工提供表面质量优良晶片,降低了抛光工序中晶片所必须的移除量,提高了抛光工序效率。此工艺方法有效降低蓝宝石加工生产成本,提升生产线的效能。 |
申请公布号 |
CN104493685A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201410011912.9 |
申请日期 |
2014.01.12 |
申请人 |
孙新利 |
发明人 |
孙新利 |
分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/04(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种蓝宝石晶片加工方法,其特征在于:(1)接收待研磨晶片,查出具有缺陷的面作为单面研磨面,做好标记;(2)区分出不同厚度的晶片,以便上蜡;利用上蜡机对晶片进行,并测量其厚度,记录数据;(3)粗砂研磨:配备粒径6μm金刚石研磨液进行单面研磨;(4)待研磨结束后清洗陶瓷盘上晶片; (5)细砂研磨:配备粒径2μm金刚石研磨液进行单面研磨;(6)待研磨到指定厚度后,停止研磨,并取出蓝宝石晶片;(7)将晶片放入去蜡清洗机进行去蜡清洗,去除晶片表面蜡;(8)转交晶片抛光工序进行抛光处理。 |
地址 |
313100 浙江省湖州市长兴县雉城镇新城丽景41幢2单元102室 |