制造非易失性存储器的方法

摘要

本发明提供一种制造非易失性存储器的方法，包括在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠。这通过以下步骤进行：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及处理该竖直硅有源层的第二侧壁以减少该有源层中的晶体缺陷和/或减少其中的界面陷阱密度。该处理能包括将该第二侧壁暴露于氧化物种，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层。掩埋绝缘图案还可直接形成在二氧化硅钝化层上。

主权项

一种形成非易失性存储器的方法，包括：通过以下步骤在衬底上形成非易失性存储单元的竖直堆叠：在竖直的硅有源层的第一侧壁上形成间隔开的栅电极的竖直堆叠；以及用氧化物种处理该竖直的硅有源层的第二侧壁，该氧化物种将该第二侧壁的表面转化为二氧化硅钝化层，其中所述形成非易失性存储单元的竖直堆叠还包括在该二氧化硅钝化层上形成掩埋绝缘图案，使得该二氧化硅钝化层位于该硅有源层与该掩埋绝缘图案之间。