半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的在于一种提供一种使用氧化物半导体的优选结构的n沟道型晶体管及p沟道型晶体管。本发明的半导体装置包括：与第一氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第一导电层和包含第二材料的第二导电层的叠层结构形成的第一源电极或漏电极；以及与第二氧化物半导体层电连接并由包含第一材料的第三导电层和包含第二材料的第四导电层的叠层结构形成的第二源电极或漏电极，其中，第一氧化物半导体层与第一源电极或漏电极的第一导电层接触，并且，第二氧化物半导体层与第二源电极或漏电极的第三导电层及第四导电层接触。

主权项

一种半导体装置，包括：衬底上的第一栅电极及第二栅电极；覆盖所述第一栅电极及所述第二栅电极的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上并与所述第一栅电极重叠的第一氧化物半导体层；设置在所述第一氧化物半导体层上并与该第一氧化物半导体层电连接的第一源电极或漏电极，所述第一源电极或漏电极包括包含第一材料的第一导电层和所述第一导电层上的包含第二材料的第二导电层；设置在所述栅极绝缘层上的第二源电极或漏电极，所述第二源电极或漏电极包括包含所述第一材料的第三导电层和所述第三导电层上的包含所述第二材料的第四导电层；以及设置在所述第二源电极或漏电极上并与该第二源电极或漏电极电连接的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠，其中，所述第一氧化物半导体层的一部分用作p沟道型晶体管的沟道形成区域，并且，所述第二氧化物半导体层的一部分用作n沟道型晶体管的沟道形成区域，其中，所述第一材料是该第一材料与所述第一氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料，并且所述第二材料是该第二材料与所述第二氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料。