发明名称 | 背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法 | ||
摘要 | 本发明的名称为背照式图像传感器的低应力腔体封装及其制作方法。图像传感器封装包括图像传感器芯片和晶体处理体。图像传感器芯片包括衬底以及在衬底的正面的多个光检测器和接触片。晶体处理体包括相对的第一和第二表面以及形成到第一表面中的腔体。柔顺介电材料布置在腔体中。图像传感器正面附连到晶体衬底处理体第二表面。多个电互连各包括:与接触片之一对齐的孔,其中,第一部分从第二表面延伸到腔体,而第二部分贯穿柔顺介电材料;绝缘材料层,沿孔的第一部分的侧壁形成;以及导电材料,贯穿孔的第一和第二部分,并且电耦合到一个接触片。 | ||
申请公布号 | CN102891151B | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
申请号 | CN201110280067.1 | 申请日期 | 2011.08.19 |
申请人 | 奥普蒂兹公司 | 发明人 | V·奥加涅相 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 俞华梁;王忠忠 |
主权项 | 一种图像传感器封装,包括:图像传感器芯片,包括:具有相对的正面和背面的衬底,在所述正面所形成的多个光检测器,以及在所述正面所形成的多个接触片,所述多个接触片与所述光检测器电耦合;晶体处理体,具有相对的第一和第二表面以及形成到所述第一表面中的腔体,其中柔顺介电材料布置在所述腔体中,并且图像传感器芯片衬底正面附连到晶体衬底处理体第二表面;所述晶体处理体包括多个电互连,各包括:与所述接触片之一对齐的孔,其中第一部分从所述第二表面延伸到所述腔体,而第二部分贯穿所述柔顺介电材料,沿所述孔的第一部分的侧壁所形成的绝缘材料层,以及贯穿所述孔的所述第一和第二部分的导电材料,其中所述导电材料电耦合到一个接触片。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |