通过用基于等离子的掩膜图案化工艺形成沟道半导体合金

摘要

本发明涉及通过用基于等离子的掩膜图案化工艺形成沟道半导体合金。当形成复杂的高介电系数金属栅极电极结构时，可依据选择性外延生长技术及包含至少二个硬掩膜层的硬掩膜，而形成临界调整半导体合金。该硬掩膜可依据基于等离子的蚀刻工艺，而加以图案化，从而在沉积该临界调整半导体材料的该进一步处理期间，提供较优的均匀性。在一些例示实施例中，在实际地选择性沉积该临界调整半导体材料前，移除一层硬掩膜层。

主权项

一种形成半导体器件的方法，包含：在半导体装置的第一主动区域及第二主动区域上形成第一硬掩膜层；在该第一硬掩膜层上形成第二硬掩膜层；通过实施等离子辅助蚀刻工艺，以选择性从该第一主动区域移除该第一及第二硬掩膜层；从该第二主动区域之上移除该第二硬掩膜层；在该第一主动区域上形成一层半导体合金，并使用该第二主动区域上的该第一硬掩膜层作为生长掩膜；暴露该第二主动区域；以及在该层半导体合金上形成第一晶体管的第一栅极电极结构，并在该第二主动区域上形成第二晶体管的第二栅极电极结构，该第一及第二栅极电极结构包含含金属栅极电极材料及栅极绝缘层，该栅极绝缘层包含高介电系数介电材料。