带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET

摘要

本发明带有集成二极管的自对准沟槽MOSFET利用自对准方式，可以制备带有集成二极管的晶体管器件。这种器件包括一个掺杂的半导体衬底，具有一个或多个电绝缘的栅极电极，形成在衬底中的沟槽中。一个或多个本体区形成在每个栅极沟槽附近的那部分衬底中。一个或多个源极区以自对准的方式，形成在每个栅极沟槽附近的本体区顶部。一个或多个厚绝缘物部分形成在栅极电极上方，栅极电极在衬底的顶面上，带有相邻的厚绝缘物部分之间的间距。金属形成在厚绝缘物部分上方的衬底上方。金属穿过厚绝缘物部分之间的间距，构成到衬底的自对准接头。集成二极管形成在自对准接头下方。

主权项

一种用于制备半导体器件的方法，其特征在于，包括：a)在半导体衬底上制备一个硬掩膜结构；b)在硬掩膜结构中形成开口；c)在硬掩膜结构中开口的侧壁上形成垫片；d)通过刻蚀衬底的裸露区域，形成栅极沟槽，其中垫片确定栅极沟槽的侧壁；e)在栅极沟槽的侧壁上，制备栅极绝缘物；f)用第一导电材料填充栅极沟槽，回刻第一导电材料，以形成第一导电区，其中导电材料区的顶面凹陷在衬底的顶面下方；g)在c)之前，制备一个或多个源极区以及一个或多个本体区，其中本体区形成在衬底顶部的所选区域，源极区形成在本体区的顶部；并且h)在第一导电材料区上方，制备一个厚绝缘层，所述的厚绝缘层向上展伸至垫片；并且i)将所述的厚绝缘层作为刻蚀掩膜，除去硬掩膜结构，使硬掩膜结构下方的半导体衬底裸露出来。