化学机械平坦化后清洗晶圆的方法

摘要

本发明提供了一种化学机械平坦化后清洗晶圆的方法，包括：将晶圆放置在晶圆夹持机构上驱动晶圆旋转机构，以带动晶圆夹持机构和晶圆共同旋转；进行第一次化学清洗，通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应化学清洗液，其中清洗液供应悬梁与晶圆表面间隔一定距离；进行第一次去离子水清洗，通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应去离子水，清洗掉化学清洗液和清洗产物；进行第二步工艺清洗，进一步巩固清洗效果；对晶圆进行干燥。依照本发明的晶圆清洗方法，由于采用非接触式的悬梁供应清洗液和去离子水清洗晶圆表面，减少或消除了接触式刷洗过程可能带来的晶圆表面划伤问题，提高晶圆器件的良率。

主权项

一种化学机械平坦化后清洗晶圆的方法，包括：步骤A，将晶圆放置在晶圆夹持机构上；步骤B，驱动晶圆旋转机构，以带动晶圆夹持机构和晶圆共同旋转；步骤C，进行第一次化学清洗，通过清洗液供应悬梁向晶圆表面供应化学清洗液，其中清洗液供应悬梁与晶圆表面间隔一定距离，清洗液供应悬梁与晶圆夹持机构两者的水平以及垂直距离和设置方式可以调整；步骤D，进行第一次去离子水清洗，通过所述清洗液供应悬梁向晶圆表面供应去离子水，清洗掉化学清洗液和清洗产物；步骤E，进行第二步工艺清洗，进一步巩固清洗效果；以及步骤F，对晶圆进行干燥。