双栅氧器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种双栅氧器件的制造方法包括在沉积了氧化层薄膜的衬底上涂布光刻胶；经过去除部分光刻胶，暴露出需要进行刻蚀的氧化层薄膜第一区域；在剩余光刻胶上涂布化学微缩材料，并加热；引入紫外光照射步骤S03处理后的光刻胶表面；刻蚀第一区域，去除剩余光刻胶，得到不同厚度的氧化层薄膜，形成双栅氧结构。本发明可以有效地提高刻蚀前光刻胶表层的致密性，提高抗酸性溶液浸蚀能力，降低光刻胶在湿法刻蚀过程中产生缺陷的几率；采用化学微缩材料和紫外线照射可以最大程度地减小工艺对线宽的影响。

主权项

一种双栅氧器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，在沉积了氧化层薄膜的衬底上涂布光刻胶；步骤S02，经过曝光和显影去除部分光刻胶，暴露出需要进行刻蚀的氧化层薄膜第一区域，未被去除的剩余光刻胶下的氧化层薄膜为第二区域；步骤S03，在剩余光刻胶上涂布化学微缩材料，并加热，在化学微缩材料与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜的同时增加所述光刻胶的线宽；步骤S04，引入紫外光照射步骤S03处理后的光刻胶表面，加强固化光刻胶表面的高分子交联保护膜的同时缩小所述光刻胶的线宽，与步骤S03中增加的光刻胶线宽相互补偿；步骤S05，刻蚀去除该第一区域的氧化层薄膜，去除剩余光刻胶；步骤S06，再次沉积一层氧化层薄膜，得到不同厚度的氧化层，形成双栅氧结构。