防闩锁效应的保护环结构和验证方法

摘要

本发明公开了一种防闩锁效应的保护环结构，在所述P阱的形成有P+保护环，所述P+保护环环绕在所述NMOS周围；在所述N阱中不形成保护环。本发明保护环结构具有良好的闩锁抑制能力，能够缩减器件面积，并降低成本。本发明还提供一种防闩锁效应的保护环结构的验证方法，能够良好的验证保护环结构的抑制闩锁效应的能力，并能得到发生闩锁效应的位置分布，方便保护环结构的不断改善。

主权项

一种防闩锁效应的保护环结构的验证方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、准备具有不同特征宽度的防闩锁效应的保护环结构；所述保护环结构为一种非对称型结构，各不同特征宽度的防闩锁效应的保护环结构的形成方法为：在硅衬底上形成P阱和N阱，在所述P阱中形成NMOS，在所述N阱中形成PMOS，在所述P阱的形成P+保护环，所述P+保护环环绕在所述NMOS周围；在所述N阱中不形成保护环；所述特征宽度为所述PMOS的P+源漏区和所述NMOS的N+源漏区之间的最小宽度；步骤二、在不同的温度下对各不同特征宽度的所述保护环结构进行电性测试，得到各不同特征宽度的所述保护环结构在不同温度下是否存在闩锁效应、以及存在闩锁效应时对应的开启电压；步骤三、对具有闩锁效应的所述保护环结构进行定位分析，方法为：将所述保护环结构驱动到对应的不同宽度和不同温度下的开启电压从而使所述保护环结构驱动进入到发生闩锁效应的状态；采用晶背光发射显微成像系统对所述硅衬底进行观察，通过观察到的光斑的位置、大小和亮度得到发生闩锁效应的位置分布特征和所述防闩锁效应的保护环结构的对闩锁电流的吸收能力；步骤四、根据测试结果，对所述防闩锁效应的保护环结构进行优化，将对闩锁电流的吸收能力强的结构应用到器件结构中。