发明名称 |
大功率薄型贴面封装二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一种大功率薄型贴面封装二极管,包括上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)和塑封体(4),上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接,在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b),在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c),且外展片(1c)高于方形凸面(1a),可有效增加上料片与硅芯片的焊接面积,从而提高产品的正向浪涌能力;使焊锡熔化后向预定位置延展,提升焊接质量;进一步,方形凸面(1a)另外两侧的居中位置处设置有缺槽(1d),以增强上料片的抗机械应力能力,从而有效地提升整个产品的性能。 |
申请公布号 |
CN204257665U |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201420810327.0 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
重庆平伟实业股份有限公司 |
发明人 |
张力;钟晓明;安国星 |
分类号 |
H01L29/861(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/861(2006.01)I |
代理机构 |
重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 |
代理人 |
方洪 |
主权项 |
一种大功率薄型贴面封装二极管,包括上料片(1)、下料片(2)和硅芯片(3),所述硅芯片(3)通过焊料焊接在上料片(1)与下料片(2)之间,除上料片(1)的引出端头、下料片(2)的引出端头外,所述上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)均封装在环氧树脂注塑成的塑封体(4)内,其特征在于:所述上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接,在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b),在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c),且外展片(1c)高于方形凸面(1a)。 |
地址 |
重庆市梁平县梁平镇皂角村双桂工业园区 |