发明名称 大功率薄型贴面封装二极管
摘要 本实用新型公开了一种大功率薄型贴面封装二极管,包括上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)和塑封体(4),上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接,在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b),在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c),且外展片(1c)高于方形凸面(1a),可有效增加上料片与硅芯片的焊接面积,从而提高产品的正向浪涌能力;使焊锡熔化后向预定位置延展,提升焊接质量;进一步,方形凸面(1a)另外两侧的居中位置处设置有缺槽(1d),以增强上料片的抗机械应力能力,从而有效地提升整个产品的性能。
申请公布号 CN204257665U 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201420810327.0 申请日期 2014.12.19
申请人 重庆平伟实业股份有限公司 发明人 张力;钟晓明;安国星
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 H01L29/861(2006.01)I
代理机构 重庆市前沿专利事务所(普通合伙) 50211 代理人 方洪
主权项 一种大功率薄型贴面封装二极管,包括上料片(1)、下料片(2)和硅芯片(3),所述硅芯片(3)通过焊料焊接在上料片(1)与下料片(2)之间,除上料片(1)的引出端头、下料片(2)的引出端头外,所述上料片(1)、下料片(2)、硅芯片(3)均封装在环氧树脂注塑成的塑封体(4)内,其特征在于:所述上料片(1)通过向下的方形凸面(1a)与硅芯片(3)焊接,在方形凸面(1a)的中部设置有焊锡上溢孔(1b),在方形凸面(1a)远离上料片(1)引出端的一侧设置有外展片(1c),且外展片(1c)高于方形凸面(1a)。
地址 重庆市梁平县梁平镇皂角村双桂工业园区