用于功率变换器的多芯片封装结构

摘要

本实用新型公开了一种可应用于功率变换器的多芯片封装结构，包括由第一类型引脚和第二类型引脚组成的引线框架，功率器件晶片和功率二极管晶片。该多芯片封装结构中，通过将功率器件晶片和功率二极管晶片直接放置于大面积的第一类型引脚的中间焊盘之上，并与之形成直接的电性连接关系，获得良好的散热性能；并且，各晶片之间可以在封装结构内部完成特定的电性连接，而不是在封装结构外部，因此抗干扰性能增强，从而也提高了系统的可靠性和稳定性。

主权项

一种用于功率变换器的多芯片封装结构，其特征在于，包括，引线框架，功率器件晶片和功率二极管晶片；其中，所述引线框架包括第一类型引脚和第二类型引脚；所述第一类型引脚包括位于所述引线框架中间区域的中间焊盘和与所述中间焊盘相连接的并且位于所述引线框架的外围区域的外围引脚；所述第二类型引脚位于所述引线框架的外围区域，所述第二类型引脚与所述第一类型引脚之间相互隔离；所述功率器件晶片位于一所述第一类型引脚的中间焊盘之上，并且，所述功率器件晶片的底部与对应的所述中间焊盘成电性连接；所述功率二极管晶片电性连接至另一所述第一类型引脚的中间焊盘之上，以使所述第一类型引脚具有与所述功率二极管晶片的一电极相对应的电极性；所述功率器件晶片顶部的一功率电极通过键合引线连接至所述功率二极管晶片所对应的一电极。