TRANSISTORS WITH HIGH CONCENTRATION OF BORON DOPED GERMANIUM

摘要

고농도의 붕소 도핑된 게르마늄의 소스 및 드레인 영역을 갖는 트랜지스터 소자를 형성하기 위한 기술들이 개시된다. 일부 실시예들에서, 인 시츄(in situ) 붕소 도핑된 게르마늄, 또는 대안으로서, 고농도 붕소 도핑된 게르마늄층으로 캡핑된(capped) 붕소 도핑된 실리콘 게르마늄이 선택적 에피텍셜 피착을 이용하여 소스 및 드레인 영역들과 그들의 대응하는 팁 영역(tip region)들에 제공된다. 일부 이러한 경우, 게르마늄 농도는, 예를 들어, 50 원자 %를 초과하여 100 원자 %에 이를 수 있고, 붕소 농도는, 예를 들어, 1E20 cm을 초과할 수 있다. 더 양호한 계면 이질 층(disparate layer)들을 위해 등급화된 게르마늄 및/또는 붕소 농도를 제공하는 버퍼가 이용될 수 있다. 에피-금속 계면에서 게르마늄 내에 도핑되는 붕소의 농도는 팁 돌연성을 저하시키지 않고 기생 저항을 효과적으로 낮춘다. 이 기술들은, 예를 들어, 평면 또는 비평면 트랜지스터 소자에서 구현될 수 있다.