| 发明名称 | 一种电子元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电子元件的制造方法，该制造方法包括步骤：S1、制备薄膜基片；S2、制备烧成基片，所述烧成基片与所述薄膜基片的材料不同；S3、将所述薄膜基片和所述烧成基片贴合形成坯体；S4、采用所述薄膜基片的烧结条件，对所述坯体进行烧结。本发明的制造方法有效防止两种材料共烧过程中，因烧结收缩存在差异而产生的内部应力对电子元件的电性和外观产生不良影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104494239A | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201410816956.9 | 申请日期 | 2014.12.23 |
| 申请人 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 发明人 | 郑卫卫;戴春雷 |
| 分类号 | B32B18/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B18/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 杨洪龙 |
| 主权项 | 一种电子元件的制造方法，其特征在于：包括步骤：S1、制备薄膜基片；S2、制备烧成基片，所述烧成基片与所述薄膜基片的材料不同；S3、将所述薄膜基片和所述烧成基片贴合形成坯体；S4、采用所述薄膜基片的烧结条件，对所述坯体进行烧结。 | ||
| 地址 | 518110 广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园 | ||