一种半导体放电管的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体放电管的制造方法，包括以下步骤：(1)对硅片进行一次氧化；(2)对硅片的深硼区进行光刻；(3)采用硅腐蚀液对欲形成深硼区的位置处进行腐蚀，腐蚀形成一凹槽，所述凹槽与深硼区的形状相对应；(4)基区光刻；(5)在进行淡硼扩散；(6)进行淡硼氧化；(7)发射区光刻；(8)进行磷扩散；(9)进行磷氧化；(10)进行双面引线光刻；(11)对硅片进行双面金属化；(12)金属光刻；(13)在真空状态下对硅片进行合金化。本发明制造方法通过腐蚀结构结合淡硼扩散来实现深硼效果，减少了工序，大幅节约成本，也避免了在深硼工艺过程中，因高温导致硅片如位错、层错等缺陷，从而不会导致漏电流超标。

主权项

一种半导体放电管的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)对硅片的两面同时进行一次氧化，形成一次氧化层；(2)对硅片一次氧化层的深硼区进行光刻；(3)采用硅腐蚀液对欲形成深硼区的硅片表面位置处进行腐蚀，腐蚀形成一凹槽，所述凹槽与深硼区的形状相对应；(4)对硅片的基区进行光刻；(5)在950‑1050℃下进行淡硼扩散，扩散时间为50‑100分钟，在相同的扩散速度下，由于腐蚀形成的凹槽的存在，凹槽处硼扩散的结深将大于其他部位硼扩散的区域，形成突出的深硼区；(6)在1220‑1270℃下进行淡硼氧化，氧化时间为7‑15小时；(7)对硅片的发射区进行光刻；(8)在1130‑1170℃下进行磷扩散，扩散时间为40‑60分钟；(9)在1150‑1190℃下进行磷氧化，氧化时间为40‑100分钟；(10)进行双面引线光刻；(11)对硅片进行双面金属化；(12)金属光刻；(13)在真空状态下对硅片进行合金化。