| 发明名称 | 钨烧结体溅射靶和使用该靶形成的钨膜 | ||
| 摘要 | 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D-SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。本发明的课题在于，通过减少钨烧结体溅射靶的钼，并且调节烧结时所使用的W粉末的粒度分布，从而降低使用该钨烧结体靶进行溅射而得到的钨膜的电阻率。 | ||
| 申请公布号 | CN104508176A | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201380040553.3 | 申请日期 | 2013.10.24 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 发明人 | 神永贤吾;大桥一允 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;B22F3/14(2006.01)I;B22F3/15(2006.01)I;C22C1/04(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种钨烧结体溅射靶，其特征在于，用二次离子质谱装置(D‑SIMS)检测出的钼强度为钨强度的万分之一以下。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||