多栅极薄膜晶体管

摘要

本发明提供多栅极晶体管、结构、装置、设备、系统及有关工艺的实施方案。在一个方面中，一种装置包含布置在衬底之上的薄膜半导体层。漏极及源极耦合到所述半导体层。所述装置还包含第一栅极、第二栅极及第三栅极，其皆邻近所述半导体层而布置且经配置以分别接收第一控制信号、第二控制信号及第三控制信号。介电层使所述栅极与所述半导体层及彼此绝缘。在第一模式中，所述第一栅极、所述第二栅极及所述第三栅极经配置以使得电荷存储在邻近所述第二栅极的所述半导体层的区中的势阱中。在第二模式中，所述第一栅电极、所述第二栅电极及所述第三栅电极经配置以使得所述所存储电荷穿过邻近所述第三栅电极的所述半导体层的所述区转移且穿过所述源极转移到负荷。

主权项

一种装置，其包括：衬底(202、502、602)；薄膜半导体层(208、508、608)，其布置在所述衬底之上；漏极(204、504、604)，其耦合到所述半导体层；源极(206、506、606)，其耦合到所述半导体层；第一栅电极(210、510、610)，其邻近所述半导体层且在所述漏极与所述源极之间布置，所述第一栅电极能够接收第一控制信号；第二栅电极(212、512、612)，其邻近所述半导体层且在所述漏极与所述源极之间布置，所述第二栅电极能够接收第二控制信号；第三栅电极(214、514、614)，其邻近所述半导体层且在所述漏极与所述源极之间布置，所述第三栅电极能够接收第三控制信号，所述第二栅电极布置在所述第一栅电极与所述第三栅电极之间以使得所述第一栅电极与所述第二栅电极存在某种重叠且所述第二栅电极与所述第三栅电极存在某种重叠；以及一或多个介电层(216、218、516、518、616)，其使所述第一栅电极与所述半导体层绝缘，使所述第二栅电极与所述半导体层绝缘，使所述第三栅电极与所述半导体层绝缘，及使所述第一栅电极、所述第二栅电极及所述第三栅电极彼此绝缘。