包括第二导电类型半导体层的发光器件及其制造方法

摘要

本发明提供了包括第二导电类型半导体层的发光器件和制造发光器件的方法。发光器件包括：第一导电类型半导体层、有源层、粗糙图案、以及第二导电类型半导体层。有源层被布置在第一导电类型半导体层上。粗糙图案被布置在有源层上。第二导电类型半导体层被布置在粗糙图案和有源层上，并且包括金属氧化物。

主权项

一种发光器件，包括：第一导电类型半导体层；所述第一导电类型半导体层上的有源层；设置在所述有源层上并且接触所述有源层的粗糙图案，其中所述有源层的一部分通过所述粗糙图案暴露；以及所述粗糙图案和所述有源层上的第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层包括金属氧化物，其中所述第二导电类型半导体层的第一部分接触所述粗糙图案的上表面，以及其中所述第二导电类型半导体层的第二部分接触所述有源层的暴露的部分。