发明名称 LED的群集工具
摘要 本发明大体而言提供了用于形成LED结构的装置和方法。本发明的一个实施例提供了一种用于制造复合氮化物结构的方法,包括:在第一处理腔室中,通过氢化物气相外延(HVPE)处理或金属有机化学气相沉积(MOCVD)处理在基板上形成包含第一III族元素和氮的第一层;在第二处理腔室中,通过MOCVD处理在第一层上形成包含第二III族元素和氮的第二层;以及通过MOCVD处理在第二层上形成包含第三III族元素和氮的第三层。
申请公布号 CN102414844B 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201080019514.1 申请日期 2010.04.27
申请人 应用材料公司 发明人 S·尼杰哈瓦;B·H·伯罗斯;石川哲也;O·克利里欧科;A·瓦苏德范;苏杰;D·H·考齐;常安中;Y·梅尔尼克;H·S·拉迪雅;S·T·恩古耶;L·庞
分类号 H01S5/343(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01S5/343(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆嘉;毛力
主权项 一种用于制造复合氮化物结构的方法,包括:在放置于第一处理腔室中的两个或更多个基板的每一个上形成III族氮化物层,其中,形成III族氮化物层包括:在HVPE前体源上方流入包括氯气的活性气体,以形成第一反应产物,其中所述第一反应产物包括氯化镓或氯化铝;以及将所形成的反应产物流向放置于所述第一处理腔室内的所述两个或更多个基板;在受控环境中,将所述两个或更多个基板从所述第一处理腔室移送至第二处理腔室;在所述第二处理腔室中,在所述III族氮化物层上形成三元III族氮化物层;在受控环境中,将所述两个或更多个基板从所述第二处理腔室移送至第三处理腔室;以及在所述第三处理腔室中,在所述三元III族氮化物层上形成第一掺杂III族氮化物层。
地址 美国加利福尼亚州
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