发明名称 | “泡取式”石墨烯的制备及使用方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种“泡取式”石墨烯的制备及使用方法,其特征在于:在对金属箔基底石墨烯的金属箔基底进行刻蚀的过程中,每隔3-5分钟用去离子水冲洗金属箔基底石墨烯的下表面,直至将金属箔基底刻蚀至厚度为5μm-10μm;用软材质擦洗刻蚀后的金属箔基底石墨烯的下表面,然后在无尘环境下晾不少于30分钟,得以金属箔基底为支撑层的“泡取式”石墨烯;“泡取式”石墨烯在使用时只需在金属箔刻蚀液中泡一下去掉支撑层即可。本发明“泡取式”石墨烯的制备过程中去除了金属箔基底下表面沉积的杂质,提高了石墨烯的洁净度;且本发明“泡取式”石墨烯在使用时只需将其放入金属箔刻蚀液中泡一下,刻蚀掉剩余金属箔基底,即可使用,方便快捷。 | ||
申请公布号 | CN103318881B | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
申请号 | CN201310289935.1 | 申请日期 | 2013.07.10 |
申请人 | 合肥微晶材料科技有限公司 | 发明人 | 吕鹏;张梓晗 |
分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
代理机构 | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人 | 何梅生 |
主权项 | “泡取式”石墨烯的制备,其特征在于按如下步骤进行:a、取金属箔基底石墨烯,在所述金属箔基底石墨烯的上表面旋涂0.5μm‑2μm厚的保护胶,所述上表面为金属箔基底上生长有石墨烯的一面;b、以上表面朝上,将上表面旋涂有保护胶的金属箔基底石墨烯放入金属箔刻蚀液中,对所述金属箔基底石墨烯的金属箔基底进行刻蚀,直至将金属箔基底刻蚀至厚度为5μm‑10μm;在刻蚀过程中,每隔3‑5分钟将金属箔基底石墨烯取出并用去离子水冲洗金属箔基底石墨烯的下表面;c、用软材质沾去离子水擦洗刻蚀后的金属箔基底石墨烯的下表面,然后在无尘环境中晾不少于30分钟,得到以金属箔基底为支撑层的“泡取式”石墨烯;所述软材质为无尘布、无尘纸或无尘棉;所述保护胶为聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂、光致抗蚀剂或电子抗蚀剂,所述保护胶的质量浓度为3%‑10%;所述金属箔刻蚀液为过硫酸铵的水溶液、氯化铁的水溶液、盐酸硫酸铜的水溶液;所述金属箔刻蚀液的质量浓度为1%‑20%。 | ||
地址 | 230088 安徽省合肥市黄山路602号A105 |