SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

패시베이션막(PL)에 접하여 형성된 제1 감광성 유기 절연막(PO1)이, 최상층 도전층(TCL)에 의해 생긴 패시베이션막(PL)표면의 단부(TRE)의 전체 둘레 위를 덮고, 또한 전체 둘레에서 단부(TRE)보다 외주 측에 위치하는 외주 단연(ED1)을 가지고 있다. 이에 따라, 제1 감광성 유기 절연막(PO1)이 패시베이션막(PL)으로부터 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.