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마크 형성 방법은, 웨이퍼에 노광한 마크 이미지에 기초하여 오목부를 포함하는 레지스트 마크를 형성하는 스텝과, 그 레지스트 마크가 형성된 영역의 오목부에 블록 공중합체를 포함하는 폴리머층을 도포하는 스텝과, 폴리머층에 어닐에 의해 자기 조직화 영역을 형성시키는 스텝과, 에칭에 의해 자기 조직화 영역의 일부를 선택적으로 제거하는 스텝과, 그 일부가 제거된 자기 조직화 영역을 이용하여 웨이퍼에 웨이퍼 마크를 형성하는 스텝을 포함한다. 블록 공중합체의 자기 조직화를 이용하여 회로 패턴을 형성할 때에 병렬로 마크를 형성할 수 있다. |
