MEMORY DEVICES WITH FLOATING GATE EMBEDDED IN SUBSTRATE

摘要

임베디드 플래시 메모리 디바이스는 게이트 스택을 포함하고, 상기 게이트 스택은 반도체 기판 내의 리세스 내로 연장하는 저부 유전체 층; 및 저부 유전체 층 위의 전하 저장 층을 포함한다. 상기 전하 저장 층은 리세스 내의 부분을 포함한다. 게이트 스택을 추가로 전하 저장 층 위의 상부 유전체 층, 및 상기 상부 유전체 층 위에 금속 게이트를 포함한다. 소스 및 드레인 영역들은 기판 내에 있고 게이트 스택의 대향하는 측면들 상에 있다.