| 摘要 |
<p>본 발명의 실시 형태는 고분자 박막의 패터닝 방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 형태에 따른 고분자 박막의 패터닝 방법은, 광학리소그래피(photolithography)를 이용한 고분자 박막의 패터닝 방법에 있어서, 기판 상에 고분자 박막을 형성하고, 상기 고분자 박막 상에 포토레지스트(photoresist)를 형성하는 형성단계; 상기 포토레지스트를 패터닝하는 포토레지스트 패터닝 단계; 상기 고분자 박막 상에 식각용액을 도포하는 식각용액 도포단계; 상기 기판을 기준으로 사선(diagonal line) 방향에서 기체를 분사하여 상기 식각용액이 상기 고분자 박막 상에 남지 않도록 제거하는 식각용액 제거단계; 및 상기 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거단계; 를 포함하고, 상기 포토레지스트는 양성(positive) 포토레지스트이다.</p> |
