| 摘要 |
<p>하부 전극(2)은 도전성의 기재(2a)와 정전 척(6)과 포커스 링(5)과 도전성의 용사막(100)을 구비한다. 도전성의 기재(2a)는 고주파 전력이 인가된다. 정전 척(6)은, 기재(2a)의 상면에 형성되어 전극(6a)을 덮는 절연층(6b)을 가지고, 플라즈마 처리의 처리 대상이 되는 반도체 웨이퍼(W)를 절연층(6b)에 정전 흡착한다. 포커스 링(5)은, 정전 척(6)의 절연층(6b)의 상면에, 반도체 웨이퍼(W)의 주위를 둘러싸도록 설치된다. 도전성의 용사막(100)은, 정전 척(6)의 절연층(6b) 중 포커스 링(5)과 기재(2a)에 개재된 부분에 배치되고, 절연 재료에 티타니아가 소정의 중량 비율로 배합된 합성 재료를 이용하여 형성된다.</p> |
