| 摘要 |
<p>하나 이상의 실시예에서, 광전자 반도체 칩(1)은 캐리어(2)를 포함한다. n형 층(31)과 p형 층(35) 사이에 위치되어 전자기 방사선을 생성하기 위한 활성층(33)을 포함하는 반도체 층 시퀀스(3)는 캐리어 상면(20) 상에 부착된다. 반도체 칩(1)은 전기 접촉을 위한 n형 접촉점(51) 및 p형 접촉점(55)을 포함한다. 또한, 반도체 칩(1)은 2개 또는 3개 이상의 전기 스트립 도체(4)를 포함한다. 상면도로 볼 때, 반도체 층 시퀀스(3)는 서로 나란히 배열되는 2개 이상의 이미터 영역(36)으로 구조화된다. 이미터 영역들(36)은 스트립 도체들(4)을 통해 직렬로 전기 연결된다. 스트립 도체들(4)은 캐리어(2)의 반대 방향으로 향해 있는 반도체 층 시퀀스(3)의 면 상에 위치된다.</p> |
