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<p>고전압 반도체 장치들을 위한 테이퍼진 필드 플레이트 유전체 영역의 제조 공정들이 개시된다. 일 예시적 공정은 산화물 박막을 퇴적하는 단계, 폴리실리콘 하드 마스크를 퇴적하는 단계, 레지스트층을 퇴적하는 단계, 및 트렌치 영역을 식각하는 단계, 딥 실리콘 트렌치 식각을 수행하는 단계 및 상기 레지스트층을 스트립하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 공정은 상기 트렌치 내에 테이퍼진 벽을 형성하기 위하여 산화물 층의 퇴적 및 상기 산화물의 이방성 식각의 반복된 단계들을 더 포함할 수 있다. 상기 공정은 폴리를 퇴적하는 단계 및 상기 반도체 장치를 형성하기 위하여 추가의 공정을 수행하는 단계를 더 포함할 수 있다. 다른 예시적 공정은 반도체 웨이퍼 내에 트렌치를 식각하는 단계, 상기 트렌치 내에 갭을 형성하기 위하여 상기 반도체 웨이퍼 상에 절연층을 퇴적하는 단계, 상기 절연층 상에 마스크층을 퇴적하는 단계, 및 테이퍼진 필드 플레이트 유전체 영역을 형성하기 위하여 상기 마스크층 및 상기 절연층을 교대로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.</p> |
