| 摘要 |
<p>패터닝된 이종(heterogeneous) 구조들 상의 노출된 실리콘-및-질소-함유 물질을 식각하는 방법이 설명되며, 불소-함유 전구체 및 산소-함유 전구체로부터 형성되는 원격 플라즈마 식각을 포함한다. 원격 플라즈마로부터의 플라즈마 배출물들은 기판 프로세싱 영역 내로 유동되며, 기판 프로세싱 영역에서 플라즈마 배출물들은 실리콘-및-질소-함유 물질의 노출된 영역들과 반응한다. 플라즈마 배출물들은 패터닝된 이종 구조들과 반응하여, 다른 노출된 물질들을 매우 느리게 제거하면서, 노출된 실리콘-및-질소-함유 물질 영역들로부터 실리콘-및-질소-함유 물질을 선택적으로 제거한다. 실리콘-및-질소-함유 물질 선택성은, 원격 플라즈마와 기판 프로세싱 영역 사이에 위치된 이온 억제 엘리먼트(ion suppression element)의 존재에 부분적으로 기인한다. 이온 억제 엘리먼트는 기판에 도달하는 이온적으로 대전된 종(ionically-charged species)의 수를 감소시키거나 실질적으로 없앤다. 방법들은 실리콘 산화물의 레이트(rate)의 20 배 초과의 레이트로 실리콘-및-질소-함유 물질을 선택적으로 제거하는 데에 이용될 수 있다.</p> |
