CHEMICAL MECHANICAL PLANARIZATION USING NANODIAMOND

摘要

기판의 화학기계적 연마 방법은 기판을 약 2.5Å/분이 넘는 기판 원소 제거율로 연마시켜 약 5.0Å 이하의 Ra를 달성하는 단계를 포함한다. 상기 기판은 III-V족 기판 또는 SiC 기판일 수 있다. 연마 단계에서는 초분산 다이아몬드와 적어도 80 중량%의 물을 함유하는 화학기계적 연마용 슬러리가 활용된다.