SELF-ALIGNED STRUCTURES AND METHODS FOR ASYMMETRIC GAN TRANSISTORS ＆ ENHANCEMENT MODE OPERATION

摘要

실시예들은 HEMT(High Electron Mobility Transistor)들을 포함한다. 실시예들에서, 게이트 전극은 소스 및 드레인 반도체 영역으로부터 상이한 거리들 만큼 이격되어 높은 항복 전압 및 낮은 온-스테이트 저항을 제공한다. 실시예들에서는, 자기-정렬 기술들이 적용되어 트렌치들 내에 및 그 사이의 심축 위에 유전체 라이너를 형성하고, 이는 단일 마스킹 작업으로 게이트 길이, 게이트-소스 길이 및 게이트-드레인 길이를 독립적으로 정의한다. 실시예들에서, III-N HEMT들은 임계 전압 튜닝 및/또는 상승 모드 동작을 위해 불소 도핑된 반도체 장벽층들을 포함한다.