发明名称 | 一种双面太阳能电池的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:A.在P型硅片正面形成绒面;B.扩散形成PN结;C.去磷硅玻璃;D.在所述P型硅片正面形成减反膜;E.在所述P型硅片背面沉积第二本征非晶硅层;F.在所述第二本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层;G.在所述N型非晶硅层上沉积第一本征非晶硅层;H.在所述第一本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;I.采用磁控溅射方法在所述P型非晶硅层上沉积TCO层;J.丝网印刷正面电极和背面电极;K.烧结,形成双面太阳能电池。采用本发明,可克服现有双面电池背面的弱光响应较差的技术问题,正背面都能实现载流子分离,能有效地提高电池光电转换效率,且成本低廉。 | ||
申请公布号 | CN104505440A | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
申请号 | CN201410671004.2 | 申请日期 | 2014.11.21 |
申请人 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 发明人 | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能 |
分类号 | H01L31/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭 |
主权项 | 一种双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A.在P型硅片正面形成绒面;B.通过扩散在所述P型硅片正面形成N型发射极,并在所述P型硅片和所述N型发射极之间形成PN结;C.去磷硅玻璃;D.在所述P型硅片正面形成减反膜;E.在所述P型硅片背面沉积一层厚度为3‑5nm的第二本征非晶硅层;F.在所述第二本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层;G.在所述N型非晶硅层上沉积一层厚度为10‑1500nm的第一本征非晶硅层;H.在所述第一本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;I.采用磁控溅射方法在所述P型非晶硅层上沉积TCO层;J.丝网印刷正面电极和背面电极; K.烧结,形成双面太阳能电池。 | ||
地址 | 528100 广东省佛山市三水工业园区C区69号 |