发明名称 一种双面太阳能电池的制备方法
摘要 本发明公开了一种双面太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:A.在P型硅片正面形成绒面;B.扩散形成PN结;C.去磷硅玻璃;D.在所述P型硅片正面形成减反膜;E.在所述P型硅片背面沉积第二本征非晶硅层;F.在所述第二本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层;G.在所述N型非晶硅层上沉积第一本征非晶硅层;H.在所述第一本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;I.采用磁控溅射方法在所述P型非晶硅层上沉积TCO层;J.丝网印刷正面电极和背面电极;K.烧结,形成双面太阳能电池。采用本发明,可克服现有双面电池背面的弱光响应较差的技术问题,正背面都能实现载流子分离,能有效地提高电池光电转换效率,且成本低廉。
申请公布号 CN104505440A 申请公布日期 2015.04.08
申请号 CN201410671004.2 申请日期 2014.11.21
申请人 广东爱康太阳能科技有限公司 发明人 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能
分类号 H01L31/20(2006.01)I 主分类号 H01L31/20(2006.01)I
代理机构 广州三环专利代理有限公司 44202 代理人 温旭
主权项 一种双面太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:A.在P型硅片正面形成绒面;B.通过扩散在所述P型硅片正面形成N型发射极,并在所述P型硅片和所述N型发射极之间形成PN结;C.去磷硅玻璃;D.在所述P型硅片正面形成减反膜;E.在所述P型硅片背面沉积一层厚度为3‑5nm的第二本征非晶硅层;F.在所述第二本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层;G.在所述N型非晶硅层上沉积一层厚度为10‑1500nm的第一本征非晶硅层;H.在所述第一本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层;I.采用磁控溅射方法在所述P型非晶硅层上沉积TCO层;J.丝网印刷正面电极和背面电极; K.烧结,形成双面太阳能电池。
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