发明名称 |
一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子设备,包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极,所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部,所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部,所述衬底设置在所述下电极的上部,所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部,所述等离子聚焦结构设置在所述腔体的内部,且设置在所述腔体中设置的等离子体的下部,用于控制所述等离子体的流体分布,所述磁性件与所述等离子聚焦结构连接,用于施加磁场。本申请实施例通过提供一种应用于等离子体设备的腔室结构及等离子体设备,能够控制等离子体的流体分布,使得等离子体与产品的表面反应更充分,使得产品的合格率和成品率得以提高。 |
申请公布号 |
CN104505327A |
申请公布日期 |
2015.04.08 |
申请号 |
CN201410798842.6 |
申请日期 |
2014.12.19 |
申请人 |
中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
发明人 |
张庆钊 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京华沛德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘杰 |
主权项 |
一种应用于等离子体设备的腔室结构,其特征在于,包括射频线圈、石英耦合窗、腔体、衬底、下电极和导磁体,所述射频线圈设置在所述石英耦合窗的上部,所述石英耦合窗设置在所述腔体的上部,所述衬底设置在所述下电极的上部,所述衬底和所述下电极设置在所述腔体的下部,在所述腔体内设置有等离子体,所述导磁体与所述射频线圈连接,用于施加磁场给所述等离子体。 |
地址 |
314000 浙江省嘉兴市南湖区凌公塘路3339号 |