| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法。使从半导体激光振荡器射出且具有第1脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面，其中，在半导体基板的第1面形成有半导体元件，并且在第2面侧的表层部添加有杂质。使具有第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到第1激光脉冲的入射区域。设定第1激光脉冲的下降时刻与第1激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置关系，以使通过第1激光脉冲及第2激光脉冲的入射而上升的第1面的温度不超过预先确定的容许上限值。 | ||
| 申请公布号 | CN104508796A | 申请公布日期 | 2015.04.08 |
| 申请号 | CN201380024316.8 | 申请日期 | 2013.06.24 |
| 申请人 | 住友重机械工业株式会社 | 发明人 | 若林直木 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭;郝传鑫 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，其特征为，具有：使从半导体激光振荡器射出且具有第1脉冲宽度的第1激光脉冲入射到半导体基板的第2面的工序，其中，所述半导体基板的第1面形成有半导体元件，并且在第2面侧的表层部添加有杂质；及使具有所述第1脉冲宽度的1/10以下的第2脉冲宽度的第2激光脉冲重叠入射到所述第1激光脉冲的入射区域的工序，设定所述第1激光脉冲的下降时刻与所述第1激光脉冲的上升时刻在时间轴上的相对位置，以使通过所述第1激光脉冲及所述第2激光脉冲的入射而上升的所述第1面的温度不超过预先确定的容许上限值。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||