| 摘要 |
<p>소스 전극(2) 및 드레인 전극(4)과, 이들 전극 사이에서 채널 영역 내에 배치되는 유기 반도전성 재료(8)를 구비하되, 소스 전극 및 드레인 전극의 위에, 전자를 수용하는 것에 의해 유기 반도전성 재료를 화학적으로 도핑하는 도펀트 모이어티를 구비하는 얇은 자기 조립식 재료층(14)이 배치되고, 도펀트 모이어티는 아세토니트릴 내의 SCE에 대해 적어도 0.3eV의 산화 환원 전위를 갖는 유기 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법.</p> |
