| 摘要 |
<p>본 발명은 공정챔버에서 플라즈마를 이용하여 피처리체를 식각할 시 하부전극과 상부전극의 간격을 일정하게 조절하여 피처리체의 에지부분에 대한 식각레이트의 균일성을 확보하는 플라즈마 식각장치에 관한 것이다. 가스분배 플레이트와 피처리체의 간극을 일정하게 하여 식각레이트를 균일하게 하고 피처리체의 가장자리부분도 균일한 식각이 되도록 하기 위한 본 발명의 플라즈마 식각장치는, 외부로부터 공급되는 반응가스를 내부로 균일하게 공급되도록 하는 가스분배 플레이트와, 상기 가스분배 플레이트의 하부 가장자리에 하향 돌출되도록 설치된 스토퍼와, 상기 가스분배 플레이트를 통해 공급되는 반응가스가 플라즈마 상태로 변환되도록 상부전극과 상호 작용하여 소정의 전기장을 형성하는 하부전극과, 상기 하부전극의 가장자리에 수직방향으로 돌출되어 플라즈마 반응가스가 균일하게 측면으로 배출되고 상기 하부전극이 상승될 때 상기 스토퍼에 접촉되어 상기 하부전극이 더 이상 상승되지 않도록 하는 사이드 배플을 포함한다. 본 발명은 가스분배 플레이트와 피처리체의 간극을 일정하게 하여 식각레이트를 균일하게 하고, 또한 사이드 배플의 통기공을 통해 플라즈마 가스가 배출되도록 하여 피처리체의 에지부에 플라즈마 가스가 체류되는 시간을 연장하여 피처리체의 에지부분에 균일한 식각이 되도록 하여 공정 불량발생을 낮추어 제조비용을 절감한다.</p> |
