| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung beschreibt Verfahren (1) zur Kantenbeschichtung wenigstens eines monolithisch integrierten Halbleiterbauelementes (10, 10'), wobei das wenigstens eine monolithisch integrierte Halbleiterbauelement (10, 10') vor Ausführung des Verfahrens (1) auf einem Halbleitersubstrat (18) angeordnet ist, welches Halbleitersubstrat (18) das wenigstens eine monolithisch integrierte Halbleiterbauelement (10, 10') auch umgibt. Das Verfahren (1) umfasst folgende Verfahrensschritte: S1) Aufbringen des wenigstens einen Halbleiterbauelementes (10, 10') auf einem Trägersubstrat (12); S2) Aufbringen einer Maskenschicht (6) auf dem wenigstens einen monolithisch integrierten Halbleiterbauelement (10, 10'); S3) Sägen des, das wenigstens eine monolithisch integrierte Halbleiterbauelement (10, 10') umgebende, Halbleitersubstrats (18), der Maskenschicht (6) und teilweise des Trägersubstrats (12) derart, dass eine Sägekante mit der zu beschichtenden Kante (4) des monolithisch integrierten Halbleiterbauelementes (10, 10') zusammenfällt; S4) Aufbringen einer Schutzschicht (2) auf zumindest der Maskenschicht (6), die das wenigstens eine monolithisch integrierte Halbleiterbauelement (10, 10') bedeckt und der zu beschichtenden Kante (4); S5) Entfernen der Maskenschicht (6) und der darüber liegenden Schutzschicht (2); S6) Vereinzelung des wenigstens einen Halbleiterbauelementes (10, 10').</p> |
