IGBT MIT REDUZIERTER RÜCKWIRKUNGSKAPAZITÄT

摘要

Ein IGBT weist wenigstens eine Transistorzelle von einem ersten Typ mit einer Basiszone, einer ersten Emitterzone, einer Bodyzone, und einer zweiten Emitterzone auf. Die Bodyzone ist zwischen der ersten Emitterzone und der Basiszone angeordnet. Die Basiszone ist zwischen der Bodyzone und der zweiten Emitterzone angeordnet. Der IGBT enthält weiterhin eine Gateelektrode, die zu der Bodyzone benachbart und durch ein Gatedielektrikum von der Bodyzone dielektrisch isoliert ist, sowie eine Basiselektrode, die zu der Basiszone benachbart und durch ein Basiselektrodendielektrikum von der Basiszone dielektrisch isoliert ist. Die Basiszone weist einen ersten Basiszonenabschnitt benachbart zu dem Basiselektrodendielektrikum auf, sowie einen zweiten Basiszonenabschnitt, der zwischen der zweiten Emitterzone und dem ersten Basiszonenabschnitt angeordnet ist. Eine Dotierungskonzentration des ersten Basiszonenabschnitts ist höher als eine Dotierungskonzentration des zweiten Basiszonenabschnitts.