发明名称 Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Dünnschichtwafers und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Dünnschichtsolarzelle
摘要 <p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichtwafers. Das Verfahren weist einen Schritt des Bereitstellens, einen Schritt des Aufbauens, einen Schritt des Einbringens und einen Schritt des Auflösens auf. Im Schritt des Bereitstellens wird ein Substrat bereitgestellt. Im Schritt des Aufbauens wird ein Stapel (200) auf dem Substrat (100) aufgebaut, wobei der Stapel (200) eine Zwischenschicht (202) und eine Halbleiterschicht (204) umfasst. Die Zwischenschicht (202) wird auf dem Substrat (100) angeordnet. Die Halbleiterschicht repräsentiert den Dünnschichtwafer. Im Schritt des Einbringens wird zumindest ein Ätzkanal (500) durch die Halbleiterschicht (204) in den Stapel eingebracht. Im Schritt wird der Stapel durch Entfernen der Zwischenschicht (202) unter Verwendung eines Ätzmediums aufgelöst, um den Dünnschichtwafer von dem Substrat (100) zu lösen.</p>
申请公布号 DE102013219668(A1) 申请公布日期 2015.04.02
申请号 DE201310219668 申请日期 2013.09.30
申请人 ROBERT BOSCH GMBH 发明人 WAGNER, THOMAS;MINGIRULLI, NICOLA;ROELVER, ROBERT
分类号 H01L31/18;H01L21/301;H01L21/306 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
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