发明名称 薄膜トランジスタ装置とその製造方法、有機EL表示素子、および有機EL表示装置
摘要 <p>隔壁の囲繞により構成された第1および第2開口部内には、それぞれ薄膜トランジスタ素子が形成されている。隔壁には、第1開口部に対して間隔をあけた状態で隣接し、且つ、前記第2開口部が隣接する側とは異なる側に、第3開口部が設けられている。ここで、第1開口部の底部を平面視するとき、当該第1開口部内に露出するソース電極、ドレイン電極の表面積の和の中心位置が、第1開口部の底部における面積の中心位置よりも、第3開口部が隣接する側とは異なる側に離れており、第1開口部の底部と第2開口部の底部を平面視する場合において、第1開口部、第2開口部の一方では、その底部に露出するソース電極、ドレイン電極との表面積の和の中心位置が、当該開口部の底部における面積の中心位置よりも、他方の開口部が隣接する側とは異なる側に離れている。</p>
申请公布号 JPWO2013073088(A1) 申请公布日期 2015.04.02
申请号 JP20130544095 申请日期 2012.09.21
申请人 发明人
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L51/50 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
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